内容提要：集成电路产业是数字经济的基础产业，是构筑我国经济未来竞争新优势的基础力量来源之一。本文在阐释创新链相关理论的基础上，从创新要素投入—创新成果生产—创新成果市场化和产业化的创新链逻辑出发，深入分析21世纪初以来集成电路产业创新链的全球演化特征以及当前竞争格局，利用量化评价方法对代表国家和地区集成电路产业创新力予以评价，并从创新链赶超视角提出相关建议。从演化过程来看，美国在全球产业大转移过程中始终维持着对创新链的绝对控制力，欧盟创新力相对稳定且有强化的趋势，日本创新力快速下降且正在被韩国赶超，中国是创新链的后发者，表现出相对稳定的上升态势。当前，集成电路产业的全球创新链竞争表现出“一超多强”特征，美国依然稳居集成电路产业创新链的领军地位，欧洲次之，日本位居第三，韩国位居第四，中国位居第五。围绕我国集成电路产业创新链的现实问题和赶超目标，要进一步加大创新投入和创新链协同为产业发展注入内生动力，以产业链创新和整体突破提升全球竞争力，以深化对外开放和强化自主创新来激发产业发展的全球生态活力，以科学布局提升协同发展能力，并把握数字科技革命和产业变革先机实现产业的创新发展。
关键词：创新链；集成电路产业；演化；竞争
基金项目：国家社会科学基金重点项目“新技术革命背景下全球创新链的调整及其影响研究”(19AJY013)。
精要版
一、研究缘起
作为当前科技竞争和经济竞争的焦点之一，集成电路产业对于数字时代的全球竞争新格局具有重要的影响作用。集成电路是一个高度全球化的产业，产业链中的设计、制造、封测环节，以及材料、设备、EDA软件和IP核等领域分布在全球不同的国家和地区，并以极为复杂的形式相互交织和演化，表现为创新链中的创新投入、创新成果生产、创新产品市场化和产业化的全球分工与协作，构筑了集成电路产业广阔的应用场景和市场规模。已有研究主要关注于集成电路产业的产业链分工和发展，对于从创新链视域下审视集成电路产业的文献较少，且从系统视角审视全球集成电路产业的发展和竞争力的文献略有不足。
二、创新之处
1.研究视角创新。本文从链路视角来探究集成电路产业的全球竞争格局，并将创新链朝着更为前端的创新投入延伸。创新链指的是从创新投入到产出的发展过程，主要包括创新要素投入（包括研发投入和人才基础）、创新成果生产（包括学术论文、专利以及默会知识）、创新成果市场化（包括产品工程化和产品化）和产业化（包括市场化和产业规模增长）三个阶段，不同的主体，包括政府、高校科研院所、企业、个人、中介服务机构等，通过知识和资源的投入创造新知识，并借助市场化和产业化实现知识的经济价值实现，并进而反哺知识的创造过程，从本质上是知识的创造、扩散、使用和再创造过程，知识是创新链的核心客体。
2.研究内容创新。本文从创新链的视角来分析集成电路产业创新链的全球演化趋势、竞争格局和创新力，并在此基础上提出相关政策建议。本文立足全球竞争视野，系统地分析了我国在全球集成电路产业中的竞争地位，尤其是通过纵向的演化分析和横向的比较，可为发现我国集成电路产业存在的现实问题和未来发展方向提供有益的借鉴和参考。
三、研究过程
本文首先界定了创新链的概念，并基于集成电路产业发展的创新特征定义了集成电路产业创新链；进而，本文立足于创新要素投入、创新成果生产、创新成果市场化转化和产业化三个维度，对本世纪初以来集成电路产业代表国家/地区的创新链演化态势进行定量比较；在此基础上，本文刻画了集成电路产业创新链的全球竞争格局，并从集成电路产业创新链的三个维度构建了集成电路产业创新力评价模型，对当前全球主要国家/地区的集成电路产业创新力予以评价；最后，基于我国集成电路产业创新力的现实，围绕集成电路产业创新链赶超目标提出相关建议，以期为我国集成电路产业底层创新能力提升和产业高质量发展提供政策支持。
四、主要结论
1.从集成电路产业创新链的演化趋势来看，美国控制力进一步增强而中韩后发赶超趋势显著。从创新投入来看，美国在人才、研发投入、创新企业数等方面力量不断强化，欧洲相对稳定，日本显著下降，中韩后发赶超力度较大；从创新成果来看，尽管依然是美日欧主导，但中韩迅速追赶，尤其是在高水平论文和发明专利方面发展较为迅猛；从创新成果产业化来看，近年来美国通过市场和非市场竞争手段不断强化其行业主导地位，但中韩作为后发者的追赶也不断加速。
2.从集成电路产业创新链的竞争格局来看，全球创新链表现出“一超多强”的竞争态势。尽管面临后发者挑战，但美国在创新链各个环节保持绝对的控制力，在创新投入数量和强度、创新成果生产、市场化和产业化发展方面均有强大的控制力；日本尽管在市场化和产业化方面有较强的影响力，但其研究开发和创新成果生产方面趋于下滑；欧洲在基础研究、创新成果生产等方面有较强的竞争力，但在产业端的竞争力相对较弱；韩国借助强大的研发投入，成为集成电路产业进步最快的国家；我国则依托强大的国家投入和规模优势，在基础人才、创新成果生产等方面进步较快，但在创新投入的成果转化以及产业链后端的市场化和产业化方面面临严峻的现实挑战。
3.从全球集成电路产业创新力来看，主要国家和地区表现出较大的分化。美国依然稳居集成电路产业创新链的领军地位，研发投入、人才基础、创新产出、产品领先性和产业规模等都位居全球第一，仅在人才基础和先进产品方面未能实现绝对控制力；欧洲次之，在人才基础上面表现出较为显著的优势，创新投入、专利、学术论文等也表现出较强的竞争力，但在先进产品和产业规模方面表现不佳；日本位居第三，主要来源于其强大的专利积累以及在设备、材料等先进产品上的强大竞争力，但在学术论文、人才基础以及产业规模方面表现不佳；韩国位居第四，在专利产出和产业规模方面也表现出一定的优势，但由于相对较少的企业数量和不完善的产业生态，在先进产品、人才基础、学术论文方面表现出一定的劣势；中国位居第五，主要源于我国在人才基础方面的优势，但在专利、产业规模、先进产品等方面上位居最末位，其他方面也表现不佳。
五、政策建议
从集成电路全球创新力评价结果来看，我国在集成电路产业的资本和人才投入方面进步较快，但总体投入密度、创新成果生产和创新产业化方面水平表现较差，且自主产业规模和先进产品方面也明显落后于领先国家和地区。围绕创新链赶超，需要进一步加大创新投入和创新链协同为产业发展注入内在动力，以产业链创新和整体突破提升全球竞争力，以深化对外开放和强化自主创新来激发产业发展的全球生态活力，以科学布局提升协同发展能力，并把握数字革命和产业革命发展机遇实现集成电路产业的领先力。
1.以加大创新投入和创新链协同为集成电路产业赶超注入内生动力
要从创新链协同视角来提升创新链治理水平，不仅要夯实集成电路产业发展的基础和根基，也要面向市场推动产品的规模化和高效化，还需要关注研究开发到产业化的“死亡之谷”转化问题，提升集成电路产业投入的转化效率，驱动集成电路产业在投入不断提升的背景下快速发展。
一是进一步加大集成电路产业的创新资本投入，尤其是基于我国企业规模相对较小的现实加大公共资源投入，同时发挥相关政策优势鼓励企业加大基础投入。从行业领先企业创新投入的实践来看，长期高强度的研发投入是保持竞争优势的关键。例如阿斯麦在极紫外光刻技术及其批量化生产中花费了17 年时间和大约 70 亿美元，不仅巩固了其成为极紫外光刻机的垄断地位，也使得极紫外光刻机成为其当前的主要业务增长来源；安谋在64 位计算处理器IP核开发中花费了六年时间，这也成为当前公司收入的主要来源。集成电路产业应坚持长期导向的创新赶超战略，包括高强度的研发投入、人才投入等，以夯实产业发展的资源基础。但是，与国际上集成电路领先企业极高的研发投入和研发强度形成鲜明对照的是，我国集成电路企业总体规模较小，企业尚处于盈亏平等点之内或者略有盈余，资源难以支撑创新要素投入。为此，在数字经济竞争的时代背景下，需要发挥有为政府作用，鼓励集成电路优先布局和集聚区地方政府加大对创新投入的支持，强化对行业发展具有重要溢出效应和协同效应的公共研发投入，加大共性研发平台、科技成果转化平台建设；同时，强化对企业利用有限资源加大创新投入的引导和激励，例如对成长阶段的集成电路企业给予更高比例的税前加计扣除比例。
二是将高质量人才培养和有效供给作为集成电路产业长期竞争力提升的内源动力，进一步加大人才培养和优化人才结构。尽管我国培养的科学和工程博士人才数量方面已经接近美国，但我国在吸引国际学生比例、学生培养水平等方面与之尚存在较大的差距，加之美国当前发起对中国高科技领域为主要目标的精准打击以来，中美在集成电路产业的人才交流面临严峻的挑战。为此，为此，建议进一步强化集成电路领域的高水平人才培养，在集成电路学院、微电子学院的基础上，有步骤地扩大集成电路人才培养数量和比例，并逐步扩大对全球留学生的招生比例，以此来提升我国集成电路产业的全球嵌入度。此外，进一步拓宽我国集成电路相关领域人才与境外高校、科研机构、龙头企业的交流和合作研究，强化人才培养和使用中的交流和共享。
三是鼓励集成电路领域高水平创新成果的生产，形成可与全球互动并形成独特优势的高质量创新成果。我国在集成电路领域高水平学术论文总体数量较少且占比较低，在专利和行业标准方面更是远远落后。为此，要进一步鼓励各类创新主体的成果产出，尤其是强化与国外同行的交流和合作，以知识交流和互通推动全球创新链的发展；注重创新成果的专利和标准转化，加大与行业内龙头企业互相授权，提升对一些恶意竞争的制衡能力。
四是加快推动集成电路产业创新链先进产品的产研用协同，提高创新产品的全球竞争力。在摩尔定律的驱动下，集成电路是技术进步最快的行业之一，这也拉动了创新链上的设备、材料、软件的快速发展和迭代，但是，我国在这些创新产品上的表现较差，在全球竞争中处于相对劣势地位。为此，需要强化对集成电路产业创新链先进产品的突破，形成在关键产品尤其是国外垄断的系统级产品的产研用协同，鼓励用户参与到产品研发和制造过程并助推产品的逐步完善和迭代升级；同时注意新技术路线的前瞻性布局，维系在突变情境下的快速跟进。
五是强化对集成电路产业世界一流企业的培育，使其成为全球市场的重要引领者。无论是设备、材料、软件三大领域还是关键的设计和制造环节，中国大陆企业都难以进入行业领先地位，我国企业在集成电路产业上游的影响力极为有限，这也成为我国在全球市场竞争力弱的重要原因之一。为此，要在培育世界一流企业的顶层设计下，注重集成电路产业世界一流企业的培育。全球集成电路领先企业表现出典型的多元化成长路径，英特尔以技术引领和用户锁定型发展模式形成领先优势，台积电以商业模式创新和效率叠加模式快速崛起，三星以专注细分领域和高强度研发投入模式后发赶超，阿斯麦以全球创新资源整合模式实现在最前沿领域的有效控制，应用材料以完善的产品系列和服务型制造模式实现其在设备领域最有效的影响力，信越化学以其产品创新和企业升级逐步涉入集成电路材料领域并形成在先进产品的领先优势，不同细分行业和领域的集成电路企业成长模式差异显著。此外，美日欧集成电路领先企业的成长路径还表现出显著的国别差异，美国企业将资本运作和全球范围内的并购整合与技术创新置于同样的位置，日本企业注重自身能力的逐步夯实和对“短板”的补足，欧洲企业注重全球资源和市场的匹配与整合，不同的成长模式对于我国集成电路领先企业成长也具有一定的参考价值。在集成电路产业世界一流企业培育过程中，鼓励企业把握数字经济时代的技术、市场、地缘政治格局变化等机遇，结合具体细分行业和领域的特征选择不同的模式和成长线路。
六是进一步把握全球集成电路产业变化的新趋势，强化在重要环节的创新投入。近年来，美国通过出台《芯片与科学法案》，大力打造“芯片同盟”，对我国集成电路重点领域实施“实体清单”制裁、高端设备和产品限购等，不仅致力于打压我国集成电路产业的发展，更强化其在高端制造领域的控制力。为应对美国在集成电路产业对我国的“精准狙击”，需要在创新政策支持方面进一步提升对重点领域的支持力度，尤其是高端制程芯片和下一代芯片全产业链的支持，以形成与美国企业具有相对公平的竞争地位。
2.以产业链创新和整体突破提升全球竞争力实现产业赶超
作为一个极端重要产业，集成电路产业创新链赶超过程中不仅需要技术上的领先，还需要在产业和市场上的领先，以形成持续发展和赶超能力。具体来看，需强化集成电路产业链从软件、设备、材料领域到设计、制造、封测环节的竞争力，激发集成电路产业赶超和发展的生态活力。
一是要树立集成电路产业链的整体安全观，确保我国在极限压力下的产业“备份”能力。近年来全球范围内的集成电路产业竞争，凸显了各国都关注于构建完善的产业生态系统，以避免部分环节和领域被“卡脖子”，对于被美国视为“关键战略对手”的我国尤其如此。我国不仅要强化集成电路产业链“长板”的锻造，更是要加速补齐产业链“短板”，实现全产业链的贯通能力。
二是加快从国家层面协同推动集成电路和软件系统生态的建设。在关注集成电路EDA工具和IP核国产突破和迭代升级的同时，要统筹推进操作系统、开源生态、指令级架构等整体软硬件系统、用户生态的协同推进，否则寄希望于实现的国产替代只能停留在技术层面而非产业层面。
三是需进一步强化战略定力，推动设备国产化和赶超发展。着眼于长期发展目标以加大政策支持力度和创新政策工具，强化对龙头企业的精准支持和创新型小企业的普惠性支持，把握技术、市场等机会窗口期推动产业跃迁，强化国际合作尤其是与韩国等处于类似市场地位的国家合作，完善我国在设备领域的供应链体系。
四是强化产业链协同，加快材料的商业化应用以实现有序迭代升级。既要发挥我国传统化工产业优势，推动化工企业与集成电路制造企业协同合作和有序升级，开发可用于集成电路制造过程中的各类高纯度、创新型化工产品，形成跨界的合作优势；也要发挥政府、行业团体或者龙头企业的引导作用，构建产业上下游和横向企业之间的社会协同网络，真正将产品从研发企业、实验室走到车间，走向大规模应用。
五是加大芯片设计公共技术服务平台建设，为国内多场景芯片设计提供远端集成服务。构建国产EDA工具和IP核整合平台，把握汽车芯片、工业级芯片、第三代半导体设计发展的机遇，围绕国内多场景芯片需求，为国产芯片设计企业、代工企业提供芯片设计集成服务、云端服务，降低设计企业投入成本和设计风险。
六是进一步提高芯片制造能力，尤其是高端制程芯片和下一代芯片制造能力。紧跟全球芯片产能扩张浪潮，进一步吸引台积电、三星、英特尔等行业龙头企业在我国扩张产能尤其是先进产能，强化本土芯片供应能力；鼓励中芯国际、华润微、长江存储等国内领军企业复制产能，进一步提升自主可控供给能力；鼓励制造技术、工艺创新型企业探索制造模式创新，前瞻性部署前沿性制造线路。
七是进一步强化架构、封装和材料创新。探索满足更为先进制程需要的架构创新，从2D到3D，从鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）到全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET，GAA）再到互补场效应晶体管（Complementary Field Effect Transistor，CFET），不仅是集成电路制造工艺上的变化，也是集成电路设计、封装以及配套的设备、材料、EDA软件的重新设计。围绕纳米级和原子级等微观电子和物理特征，探索架构上的创新来满足未来高制程集成电路的需要。提升先进封装能力，创新封装技术以较低制程产品实现对先进产品的性能替代。利用我国在封装领域的优势，加大与晶圆制造企业、设计企业的协同，提升系统级（SIP）封装、3D封装、晶圆级封装（(Wafer Level Packaging，WLP)）、倒装封装（Flip-chip）、芯粒/小芯片封装（Chiplet）等先进封装能力，并创新在相对较低制程芯片的封装工艺以保证单位体积上的运算能力。加速晶体管本身、互联材料等方面的创新，加快推进在碳纳米管、碳化硅、砷化镓等新晶圆材料的产业化应用以及在其他复合材料方面的实验和中试，在铜互联工艺上可进一步开发铋、钴、钌或钼等材料与工艺的创新来提升晶体管连接效率，包括探索光互连等新的联接工艺。
3.以深化开放和强化自主创新激发集成电路产业的全球生态活力
集成电路产业的高度全球化和关键重要性，决定了产业发展既要坚持国际合作的开放思路，也要坚持自主创新的可控能力，在深度融入全球中强化自主创新。在当前各国强化本地供应链控制力的情境下，应进一步创新开放思路融入全球化，强化与全球其他国家在标准、技术、知识和市场方面的合作，防范技术“黑箱”导致的产业不信任以及技术脱钩产生的“加拉帕戈斯化”。
一是深化技术标准的国际合作和自主能动性。利用我国在集成电路技术和产业方面的一些优势，例如封测环节、5G芯片设计等，主动推动我国企业的相关技术标准向国际标准化组织和欧美企业的开放与共享，形成在集成电路产业有序合作和竞争的基本态势，推动国际标准的全球应用，以降低全球集成电路产业发展的交易成本。
二是加强与跨国公司的横向与纵向合作，鼓励企业以专利相互许可等方式强化与国际产业网络的相互嵌入，通过打造国际化产业论坛等平台，增加中国企业、科研人员与国外合作的机会，鼓励技术的联合开发以及共同专利申请，形成在关键技术上的跨国合作，缓解其他国家对我国的“专利墙”制约。依靠超大规模市场优势并与发展中国家合作，积极推动竞争性技术路线的落地和推广，规避既有路线的生态壁垒。
三是鼓励学术机构和大型企业的研究者和从业者的国际知识交流与合作。加大与国外学术机构、标准化组织、全球顶级研发机构、国际论坛的合作交流，鼓励企业和科研院所积极参与全球知识网络，进一步提升自然科学基金等基金项目国外团队、专家和企业的开放水平，通过机构和人员互动形成“你中有我、我中有你”的创新合作生态。
四是坚持开放市场、寻求国际产能合作，提升我国在国际产业生态中的话语权。按照国民待遇鼓励美欧日韩等国家集成电路企业来华投资支持，对其进一步开放市场并鼓励其对我国企业开放产业链供应链，打造中欧、中美、中日、中韩、中以以及多国合作示范产业园，通过横向合资和纵向合作提升中国集成电路产业与国际产业链的相互嵌入程度，通过让渡部分市场换取国际标准接口，避免技术路线和前沿技术“脱钩”，防范产业过度保护所带来的“加拉帕戈斯化”，并通过产能绑定强化我国在全球产业生态中的话语权。
4.以科学的产业、区域和产品布局提升集成电路产业的协同发展能力
集成电路产业在全球大转移过程中，形成了以美国硅谷、日本九州岛集成电路集聚区、韩国K半导体产业带（以京畿道和忠清道为核心）、德国德累斯顿、中国台湾新竹科技园等为代表的集成电路产业集聚区，高效聚集成为驱动集成电路产业创新链协作的重要驱动力量，不同集聚区在集成电路产业发展中也表现出独特的优势。此外，从美欧日韩近年来为提升本国集成电路供应链安全的举措来看，强化全产业链的自主可控能力也成为各国应对全球供应链重构秩序的重要举措。为此，在构建自主可控集成电路产业的总体战略目标下，应结合产业发展规律和国际竞争态势，科学布局以提升集成电路产业创新链的协同发展能力。
一是在继续关注产业关键环节和领域追赶和破解“卡脖子”问题的同时，要引导市场投资“多点布局”维系我国集成电路产业的安全可控。高度关注集成电路系统级设备的整机制造、供应链稳健性以及产业化应用能力，除了光刻机、刻蚀机需要集中力量快速突破之外，也需要关注镀膜设备、量测设备、清洗设备、离子注入设备、化学机械研磨设备、快速退火设备等领域创新型企业的发展；集成电路材料领域，在优先攻克大尺寸硅片、掩膜版（光罩）生产技术以及制造工艺的同时，关注国内企业在光刻胶、电子气体、湿化学品、溅射靶材、化学机械抛光材料等方面的突破和应用迭代，既要通过工艺创新推动相关高精密材料的产业化形成在成本和质量上的优势，也要提前布局第二代、第三代先进半导体材料的研究和产业化；培育一批集成电路的专业化生产性服务企业，例如超高洁净室设计和运维、车间内传统和搬运系统、污染物回收与处理等，通过专业化分工和有效的市场协作实现在特定领域和环节的快速突破；关注集成电路应用的细分领域，例如在汽车芯片、新能源、智能电网、高速轨道交通等形成差异化优势。
二是结合地方产业基础和创新链协同需要，强化集成电路产业的重点布局。培育一批空间集聚、功能关联、产业链有效适配的集成电路产业集群，支持北京、上海围绕基础研究和战略前沿技术研发能力提升，构建集设计、制造、装备和材料于一体的产业创新高地；推进京津冀协同发展、长三角一体化，打造具有国际竞争力的综合性产业集群；发挥粤港澳大湾区先行先试、应用需求大、经济实力雄厚、人才资源丰富的优势，打造产业集聚“第三极”；在符合国家规划布局的前提下，支持地方政府因地制宜，培育形成各具特色的集成电路产业基地。
三是强化在集成电路重要产品上的布局。从集成电路产业的增长来看，通讯类、汽车类、工业类芯片是当前最具增长潜力的领域，而与之相匹配的不同类型芯片，例如基带芯片、射频芯片、CMOS、GPU、MPU、传感器等近年来也增长迅速。为此，在集成电路产业赶超发展过程中，要关注集成电路产品尤其是关键产品、先进产品、前沿性产品的布局，例如把握当前洗车芯片短缺的机遇引导汽车制造企业和芯片制造企业加快在这一领域的快速突破和国产替代，把握数字经济发展对数据中心、人工智能等领域高端GPU的需求，强化芯片设计、制造与用户的协同创新。
四是打造创新合作平台，为集成电路产业创新主体协同合作创造条件。借鉴美日韩集成电路发展过程中的官产学研合作方式，创新多主体协作方式，扶持产业联盟和共同研发组织，推动形成新的上下游合作、收益共享、共同发展的模式，以多种创新资源获取来提升创新平台竞争优势（张杰等，2022）[25]。例如借鉴日本的“超大规模集成电路计划”、美国的“半导体制造技术战略联盟”等，以共同的基础研发、共享的基础专利、归属本企业的应用开发和专利共同作用，不仅有效地促进了技术的集中攻关和突破，也有利于配置本地生态，促进本土企业竞争，有利于整个行业的高质量发展。打造集成电路全球开放合作的跨国、跨行业联合创新平台，参考比利时微电子研究中心（IMEC）运营模式，以上海集成电路研发中心有限公司（ICRD）为基础，打造成立东方微电子研究中心（OMEC），打造面向全球的知识共享、项目合作、人才培养的开放创新平台，打造一个跨国界、跨学科、跨组织，以学术研究为支撑、项目研究为具体内容、服务产业和企业为基本内容的全球知识共享和创造平台，真正推进中国集成电路研究开发、产业化融入全球创新链产业链，以开放集聚资源来赢得信任，提升中国设备和材料在全球集成电路产业的参与度。
5.把握数字科技革命和产业变革先机实现在集成电路产业的跨越式创新发展
数字技术不仅从需求端牵引集成电路产业的发展，也从供给端促动集成电路产业的技术和模式创新。在创新链赶超驱动集成电路产业发展的过程中，进一步增加集成电路的需求和应用场景，利用数字技术尤其是智能技术驱动集成电路产业的自我革命。
一是大力推动数字经济发展，扩张和深化集成电路的应用场景。一方面，作为数字经济发展底层基础设施和构成要素，集成电路产业竞争力对于支持数字经济高质量发展至关重要；另一方面，数字经济是集成电路的经济体现和结果，其发展水平决定了市场中对于集成电路的现实需求。为此，在统筹中华民族伟大复兴战略全局和世界百年未有之大变局的时代背景下，要加速数字经济高质量发展，为集成电路产业自主创新和赶超发展创造有效的市场需求，并进而反哺数字经济发展，为大变局背景下构筑国家竞争新优势夯实基础。进一步强化数字基础设施建设，以需求牵引集成电路产业的持续增长；进一步加速数字场景创新和产业化，以新的场景牵引集成电路产品创新；进一步加快工业化联网等大中小企业数字化融通平台建设，提升经济的数字化转型水平。
二是推动数字技术在集成电路产业创新链中的应用，实现集成电路在数字时代下的“换道发展”。例如，把握人工智能和云计算机遇，加速推动AI技术在EDA工具中的运用，支持芯片设计企业运用AI技术在芯片功能实现决策、性能预测、性能黑盒优化和自动化设计等方面的优化，形成对传统EDA巨头已有传统设计路径的有效赶超。利用AI等新技术，加速化合物半导体材料的分析、识别、筛选、模拟等，加快数字经济发展背景下对新材料和特殊材料的需求。
曲永义,李先军.创新链赶超:中国集成电路产业的创新与发展[J].北京:经济管理,2022(9):5-26.
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